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参数资料
| 型号： | SBR3050R |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| 封装： | DO-4, 1 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | SBR3050R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBR3040R | 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| SBR30A100CTFP-G | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBR30A100CT-G | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBR30A45CTI | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| SBR4045CTFP-G | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBR3060 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SCHOTTKY 60V 30A 2PIN DO-203AA - Bulk |
| SBR3060_07 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:30 Amp Schottky Rectifier |
| SBR3060CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBR3060CTB | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:SUPER BARRIER RECTIFIER TO-2633L 30A 60V ROHS TUBE 50PCS - Trays 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30A SBR SUPER BARRIER RECTIFIER |
| SBR3060CTB-13 | 功能描述:MOSFET Super Barrier Rectif TO263 T&R 0.8K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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