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参数资料
| 型号： | SBR30 |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 0.36 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | G32, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | SBR30 |
1997 SEMTECH CORP.
652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320
STANDARD RECOVERY 1-PHASE
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
SBR05
thru
SBR30
January 16, 1998
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBR160-10J | 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBR2050CTI | 20 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| SBR2050CT | 20 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBR20A250CTI | 20 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| SBR20A250CT | 20 A, 250 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBR30016JS | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathode Common) 160V, 30A Rectifier |
| SBR30100 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:VOLTAGE 100 V 30.0 Amp Schottky Barrier Rectifiers |
| SBR30100CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBR30100CTFP | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBR30100PT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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