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参数资料
| 型号： | SBR30A45CTB |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 86K |
| 描述： | DIODE SBR 45V 30A TO263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SBR® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 二极管类型： | 超级势垒 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | SBR30A45CTBDI |
SBR30A45CTB
Document number: DS31527 Rev. 7 - 2
3 of 4
www.diodes.com
July 2011
? Diodes Incorporated
SBR30A45CTB
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
0
0255075100125150
10
R = 16°C/WθJA
20
30
I AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
F(AV),
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Fig. 3 Forward Current Derating Curve
Per Element
R = RθθJA JC
Total Device
R = RθθJA JC
Per Element
25
15
5
100,000
10,000
1,000
100
10
1
0.01 0.1 1
P
, MAXIM
U
M AVALAN
C
H
E
P
O
WE
R
(W)
ARM
10 100 1,000
T , PULSE DURATION (μS)P
Fig. 4 Maximum Avalanche Power Curve
Package Outline Dimensions
Suggested Pad Layout
TO263
Dim Min Max
A
4.07 4.82
b
0.51 0.99
b1
1.15 1.77
c
0.356 0.58
c1
1.143 1.65
D
8.39 9.65
D1
6.55
?
E
9.66 10.66
E1
6.23
?
e
2.54 Typ
H
14.61 15.87
L
1.78 2.79
L1
?
1.67
L2
?
1.77
a
0° 8°
All Dimensions in mm
Dimensions
Value (in mm)
Z
16.9
X1
1.1
X2
10.8
Y1
3.5
Y2
7.01
E1
2.5
E
b1
c
D
H
L1
b
L2
Lc1
A
e
a
12K
E1
D1
X2
Z
X1
Y1
E1
Y2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SBR30A50CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30A 50V LOW VF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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