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参数资料
| 型号： | SBR850-A |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | SBR850-A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBL2030DCT-A | 20 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBR1035{TUBE} | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBR1635-A | 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBR845{TUBE} | 8 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBR860-A | 8 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBR860 | 制造商:DAESAN 制造商全称:Daesan Electronics Corp. 功能描述:CURRENT 8.0 AMPERES |
| SBR880 | 制造商:DAESAN 制造商全称:Daesan Electronics Corp. 功能描述:CURRENT 8.0 AMPERES |
| SBR8A45SP5-13 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8A SBR 45V VRRM 8A IO 180A IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBR8A60P5-13 | 功能描述:MOSFET Super Barrier Rectif PDI5 T&R 5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SBR8F | 制造商:SEMTECH 制造商全称:Semtech Corporation 功能描述:FAST RECOVERY 1-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
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