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参数资料
| 型号： | SBRS8120T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 129K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
       MBRS120T3G, SBRS8120T3G http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 20 V Average Rectified Forward Current (TL = 115 ?C) IF(AV) 1.0 A Non?Repetitive Peak Surge Current (Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz) IFSM 40 A Operating Junction Temperature TJ ?65 to +125 ?C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t he Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction?to?Lead (TL = 25 ?C) R?JL 12 ?C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) (iF = 1.0 A, T J = 25 ?C) VF 0.6 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1) (Rated dc Voltage, TJ = 25 ?C) (Rated dc Voltage, TJ = 100 ?C) iR 1.0 10 mA 1. Pulse Test: Pulse Width = 300 ?s, Duty Cycle ? 2.0%. i F , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS ) 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.03 0.02 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.11 vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS) Figure 1. Typical Forward Voltage I R , REVERSE CURRENT (mA) 100 10 1 0.1 0.01 0 4 8 1216202428323640 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 2. Typical Reverse Current TJ = 125 ?C 25?C 50 2030 5 23 0.5 0.20.3 0.05 0.020.03 0.7 0.07 0.3 TC = 100 ?C TC = 25 ?C 100?C 75?C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBRS8130LT3G | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB |
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| SBRS8190T3G | DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB |
| SBRS8320T3G | DIODE SCHOTTKY 20V 3A SMC |
| SCS106AGC | DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBRS8130LT3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC SMB SPECIAL SHTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBRS8140T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC SMB SPECIAL SHTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBRS8190T3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SURFACE MNT SCHTKY REC RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBRS8190T3G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| SBRS8320T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC SMC SPECIAL SHTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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