参数资料
型号: SBRS8130LT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 147K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
标准包装: 2,500
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 395mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1mA @ 30V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商设备封装: SMB
包装: 带卷 (TR)
MBRS130LT3G, SBRS8130LT3G
http://onsemi.com
3
100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, IREVERSE CURRENT (mA)
TJ
= 100
?C
25?C
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, IREVERSE CURRENT (mA)
TJ
= 100
?C
25?C
Figure 3. Typical Reverse Leakage Current
Figure 4. Typical Maximum Reverse Leakage
Curent
100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
100 105 110 115 120 125 130
TC, CASE TEMPERATURE (?C)
Figure 5. Current Derating (Case)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
SQUARE WAVE
DC
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
Figure 6. Typical Power Dissipation
P
F(AV)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (W)
SQUARE
DC
C, CAPACITANCE (pF)
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0 4 8 121620242832
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Typical Capacitance
NOTE: TYPICAL CAPACITANCE
AT 0 V = 290 pF
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PDF描述
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