参数资料
型号: SBS808M
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 15 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封装: ULTRA SMALL, MCPH5, 5 PIN
文件页数: 2/3页
文件大小: 29K
代理商: SBS808M
SBS808M
No.8350-2/3
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm
7021-001
trr Test Circuit
0.25
0.07
2.1
1.6
2.0
0.65
0.3
0.85
0.15
1
32
4
5
12
3
54
Top View
Bottom View
1 : Anode
2 : No Contact
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Cathode
SANYO : MCPH5
5
12
3
4
1 : Anode
2 : No Contact
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Cathode
Top view
C -- VR
IR -- VR
PF(AV) -- IO
IF -- VF
Forward Voltage, VF -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
Reverse Voltage, VR -- V
Reverse
Current,
I
R
-
A
Average Output Current, IO -- A
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
Reverse Voltage, VR -- V
Interterminal
Capacitance,
C
--
pF
0
100000
100
1000
10000
10
1.0
0.1
0.01
15
510
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.7
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
1.0
1.2
1.5
1.4
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
0
0.01
0.001
0.3
0.4
0.5
0.1
0.2
0.1
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
Ta=125°C
25°C
--25°C
50
°C
75
°C
100°C
IT07150
IT07152
IT07885
IT07151
(1)
(2) (4) (3)
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Ta=125
°C
100
°C
--25
°C
75
°C
50
°C
25
°C
0.1
1.0
10
100
10
2
3
5
7
23
5
7
2
3
5
7
2
f=1MHz
180
°
360
°
θ
360
°
Sine wave
Rectangular wave
Duty
≤10%
50
100
10
--5V
trr
10
s
100mA
10mA
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