- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31064 > SBS813 (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SBS813 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, VEC8, 8 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | SBS813 |
SBS813
No.8972-2/3
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm
7012-001
0
0.004
0.008
0.012
10
5
0.016
0.002
0.006
0.010
0.014
20
15
30
25
35
IT10607
(1)
(2)
(3)
(4)
0
0.1
0.2
IT09872
10
0
35
IT09873
0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
0.1
1.0
10
0.6
0.3
0.4
0.5
0.1
1.0
10
100
1k
10k
100k
1000k
20
15
525
30
T
a=125
°C
75
°C
100
°C
50
°C
25
°C
0°
C
--25
°C
Ta=125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
0
°C
--25°C
(2)
(3)
(1)
0
0.5
1.8
1.6
1.4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
3.5
2.5
3.0
2.0
1.0
1.5
IT09874
(4)
Forward Voltage, VF -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
IF -- VF
Reverse Voltage, VR -- V
IR -- VR
Reverse
Current,
I
R
--
A
Average Output Current, IO -- A
PF(AV) -- IO
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
180
°
360
°
Sine wave
θ
360
°
Rectangular
wave
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
PR(AV) -- VR
Average Reverse Voltage, VR -- V
(1)Rectangular wave
θ=300°
(2)Rectangular wave
θ=240°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Rectangular
wave
Sine wave
θ
360
°
VR
180
°
360
°
VR
A
verage
Reverse
Power
Dissipation,
P
R
(A
V)
-
W
2.9
0.65
2.8
0.25
2.3
0.75
0.07
0.3
123
4
87
6 5
0.15
1 : Anode1
2 : No Contact
3 : Anode2
4 : No Contact
5 : Cathode2
6 : Cathode2
7 : Cathode1
8 : Cathode1
SANYO : VEC8
12
3
4
87
6
5
1 : Anode1
2 : No Contact
3 : Anode2
4 : No Contact
5 : Cathode2
6 : Cathode2
7 : Cathode1
8 : Cathode1
Top view
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBS818 | 1.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBT1820 | 18 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SBT250-04J | 12.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBT250-04L | 12.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBT250-04R | 12.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBS813-TL-E | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A VEC8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| SBS814 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier |
| SBS814-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:30V 1A 8VEC Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:DIODE ARR 30V 1A VEC8 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| SBS817 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low VF Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier |
| SBS817-TL-E | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SBD DUAL PARALLEL 2A 15V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。