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参数资料
| 型号： | SBT80-06GS |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | SC-46, TO-220(LS), 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | SBT80-06GS |
SBT80-06GS
No. A0798-2/3
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Reverse Voltage
VR
IR=1mA, Tj=25°C *
60
V
Forward Voltage
VF
IF=3.0A, Tj=25°C *
0.58
V
Reverse Current
IR
VR=30V, Tj=25°C *
0.1
mA
Interterminal Capacitance
C
VR=10V, Tj=25°C *
130
pF
Thermal Resistance
Rth(j-c)
Junction-Case : Smoothed DC
4.6
°C / W
Note)
* : Value per element
(3)
(1)
(2)
(4)
0
4.5
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.0
0.5
20
10
30
40
50
60
70
0
0.5
1.0
1.5
2
5
7
3
2
5
7
3
2
10
1.0
0.1
Forward Voltage, VF -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
IF -- VF
IT08385
Reverse Voltage, VR -- V
IR -- VR
Reverse
Current,
I
R
--
mA
IT08386
(4)
(2)
(3)
(1)
0
12
4
10
6
8
2
310
8
79
56
4
Average Output Current, IO -- A
PF(AV) -- IO
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
IT08387
Peak Reverse Voltage, VRM -- V
PR(AV) -- VRM
A
verage
Reverse
Power
Dissipation,
P
R
(A
V)
-
W
IT08388
180
°
360
°
VR
PR max at Tj=150°C
Tj=150
°C
25°
C
180
°
360
°
θ
360
°
0
1.0
10
100
2
5
7
3
2
5
3
10
20
30
40
50
60
70
Tj=150
°C max
125
°C
typ
100
°C
typ
150
°C
typ
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Rectangular
wave
Sine wave
(1)Rectangular wave
θ=300°
(2)Rectangular wave
θ=240°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
θ
360
°
VR
Rectangular
wave
Sine wave
Represented by max
Reverse Voltage, VR -- V
Interterminal
Capacitance,
C
-
pF
Average Output Current, IO -- A
Tc -- IO
Case
T
emperature,
T
c
--
°C
2
5
100
2
3
5
7
35
7
2
35
7
10
100
1.0
C -- VR
f=100kHz
IT08495
(1)
(4)
(3)
(2)
0
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
2
170
410
68
13
9
57
IT12855
Rectangular
wave
θ
360
°
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
180
°
360
°
Sine
wave
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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