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参数资料
| 型号： | SBYV28-200 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | SBYV28-200 |
SBYV28-50 thru SBYV28-200
Document Number 88737
22-Jul-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneous
Forward
Current
(A)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.01
0.1
1
10
100
TJ = 100 °C
TJ =25 °C
Pulse Width = 300
μs
1% Duty Cycle
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneous
Reverse
Leakage
Current
(μ
A)
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
1,000
TJ =25 °C
TJ = 100 °C
Figure 5. Reverse Switching Characteristics
Figure 6. Typical Junction Capacitance
Junction Temperature (°C)
Recovered
Store
Change
/
Reverse
Recovery
T
ime,
nC/ns
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
IF = 4.0A
VR=30V
di/dt=150A/
μs
di/dt=20A/
μs
di/dt=100A/
μs
di/dt=50A/
μs
di/dt=100A/
μs
di/dt=150A/
μs
di/dt=20A/
μs
trr
Qrr
di/dt=50A/
μs
Reverse Voltage (V)
Junction
Capacitance,
pF
0.1
1
10
100
1
10
100
TJ =25 °C
f = 1.0MHZ
Vsig = 50mVp-p
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
Dia.
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
Dia.
1.0 (25.4)
Min.
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
Min.
DO-201AD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBYV28-150E3 | 3.5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
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| SC201-8 | 0.5 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SC201-2 | 0.5 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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