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参数资料
| 型号： | SC1405DITSTRT |
| 厂商： | Semtech |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSF SYNC DUAL TSSOP14 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 20ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 30V |
| 电源电压： | 4.6 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SC1405DITSTRTDKR |
SC1405D
POWER MANAGEMENT
Electrical Characteristics - AC Operating Specifications
P a r a m e t e r
S y m b o l
C o n d i t i o n s
M i n
T y p
M a x
U n i t s
H i g h S i d e D r i v e r
r i s e t i m e
f a l l t i m e
p r o p a g a t i o n d e l a y t i m e ,
T G g o i n g h i g h
p r o p a g a t i o n d e l a y t i m e ,
T G g o i n g l o w
t r T G 1
t f T G
t p d h T G
t p d l T G
C I = 3 n F , V B S T - V D R N = 4 . 6 V ,
C I = 3 n F , V B S T - V D R N = 4 . 6 V ,
C I = 3 n F , V B S T - V D R N = 4 . 6 V ,
C - d e l a y = 0
C I = 3 n F , V B S T - V D R N = 4 . 6 V ,
1 4
1 2
2 0
1 5
2 3
1 9
3 2
2 4
n s
n s
n s
n s
L o w - S i d e D r i v e r
r i s e t i m e
f a l l t i m e
t r B G
t r B G
C I = 3 n F , V
C I = 3 n F , V
V S
V S
= 4 . 6 V ,
= 4 . 6 V ,
1 5
1 3
2 4
2 1
n s
n s
p r o p a g a t i o n d e l a y t i m e ,
B G g o i n g h i g h
p r o p a g a t i o n d e l a y t i m e ,
T G g o i n g l o w
t p d h B G H I
t p d l B G
C I = 3 n F , V B S T - V D R N = 4 . 6 V ,
C - d e l a y = 0
C I = 3 n F , V V S = 4 . 6 V ,
D R N < 1 V
1 2
7
1 9
1 2
n s
n s
U n d e r - V o l t a g e L o c k o u t
V _ 5 r a m p i n g u p
V _ 5 r a m p i n g d o w n
t p d h U V L O
t p d h U V L O
E N i s H i g h
E N i s H i g h
1 0
1 0
μ s
μ s
P R D Y
E N i s t r a n s i t i o n i n g f r o m l o w t o
h i g h
t p d h P R D Y
V _ 5 > U V L O t h r e s h o l d , D e l a y
m e a s u r e d f r o m E N > 2 . 0 V t o
P R D Y > 3 . 5 V
1 0
μ s
V _ 5 > U V L O t h r e s h o l d , D e l a y
E N i s t r a n s i t i o n i n g f r o h i g h t o l o w
t p d h U V L O
m e a s u r e d f r o m E N < 0 . 8 V t o
5 0 0
μ s
P R D Y < 1 0 % o f V _ 5 V
D S P S _ D R
r i s e / f a l l t i m e
p r o p a g a t i o n d e l a y , D S P S _ D R
g o i n g h i g h
p r o p a g a t i o n d e l a y , D S P S _ D R
g o e s l o w
t r D S P S D R .
t p d h D S P S D R
t p d l D S P S D R
C I = 1 0 0 p f , V _ 5 = 4 . 6 V
S _ M O D g o e s h i g h a n d B G
g o e s h i g h o r S _ M O D g o e s l o w
S _ M O D g o e s h i g h a n d B G
g o e s l o w
2 0
1 0
1 0
n s
n s
n s
NOTE:
(1) This device is ESD sensitive. Use of standard ESD handling precautions is required.
? 2005 Semtech Corp.
4
www.semtech.com
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PDF描述 |
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