参数资料
| 型号： | SC805IMLTRT |
| 厂商： | Semtech |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LI-ION BATT CHARGER 10-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 充电管理 |
| 电池化学： | 锂离子，镍镉，镍氢 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 5.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-MLP-EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1359 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SC805IMLDKR |
SC805
POWER MANAGEMENT
Electrical Characteristics (Cont.)
P a r a m e t e r
S y m b o l
C o n d i t i o n s
M i n
2 5 o C
T y p
M a x
T A
( - 4 0 o C t o + 8 5 o C )
M i n
M a x
U n i t s
V i n O V P R i s i n g T h r e s h o l d
V T O V P R
6 . 8
6 . 4
7 . 5
V
V i n O V P F a l l i n g T h r e s h o l d
V i n O V P H y s t e r e s i s
V i n U V L O R i s i n g T h r e s h o l d
V i n U V L O F a l l i n g T h r e s h o l d
V i n U V L O H y s t e r e s i s
V b a t P r e c h a r g e T h r e s h o l d
V T O V P F
V T O V P H
V T U V L O R
V T U V L O F
V T U V L O H
V T P R E Q R
6 . 4
3 7 5
2 . 8
2 . 7 5
5 0
2 . 8
6 . 0
5 . 9
1 5 0
2 . 5 5
2 . 5
3 0
2 . 7
7 . 1 5
3 . 1 5
3 . 1
2 . 9
V
m V
V
V
m V
V
V b a t R e c h a r g e T h r e s h o l d
P r e - C h a r g e F a u l t T i m e - O u t
C h a r g e C o m p l e t e T i m e - O u t
T i m e r D i s a b l e T h r e s h o l d
L D O - M o d e S e l e c t T h r e s h o l d
E n - N T C T h r e s h o l d s
V T R E Q
T P Q F A U L T
T F A S T Q
V T T I M E R
V T I I N T T S
V T D I S
V T N T C H
V T N T C C
V T N O B A T
V B A T - V B A T T E R Y
R t i m e = 3 9 . 2 k
R t i m e = 3 9 . 2 k
R t i m e V I L V o l t a g e
V C C - R T I M E V o l t a g e
S C 8 0 5 d i s a b l e
N T C H o t V t h V c c = 5
N T C C o l d V t h V c c = 5
N o B a t t e r y D e t e c t V c c = 5
1 0 0
3 8
2 . 5
1 . 0
1 . 1
< 1 . 1
0 . 3 V C C
0 . 7 5 V C C
0 . 9 5 V C C
6 0
3 0 . 7
2 . 0
0 . 7
0 . 7
0 . 7
0 . 2 9 4 V c c
0 . 7 3 6 V c c
0 . 9 3 V c c
1 4 0
4 4 . 7
3 . 0
0 . 3 1 4 V c c
0 . 7 5 6 V c c
0 . 9 7 V c c
m V
m i n
h r s
V
V
V
V
V
V
N T C H Y S
H o t / C o l d H y s t e r e s i s
5 0
m V
C
O v e r T e m p e r a t u r e S h u t d o w n
O T
H y s t e r e s i s = 1 0 ° C
1 5 0
°
C H R G B L E D O u t p u t
N o B a t O u t p u t
V C C I L R e s i s t a n c e
R e d u c e d F a s t c h a r g e C u r r e n t
V C B V O H
V C B V O L
I C B O F F
V N B V O H
I N B O F F
V C C I L R
I f q R e d
C h a r g e C o m p l e t e
I s r c = 2 m A
C h a r g i n g I s n k = 2 m A
D i s a b l e o r L D O - m o d e
o f f l e a k a g e
E N = V C C , I s r c = 1 m A
E N = V C C / 2 o f f l e a k a g e
R V C C t o V C C I L , I = 1 0 0 m A
V o u t = 3 . 8 v , R p r o g = 1 . 8 7 k
4 . 5
0 . 2
0 . 1
4 . 8
0 . 1
0 . 2
5 8 5
4 . 3
0 . 0 5
4 . 5
5 4 5
5 . 0
0 . 5
1 . 0
1 . 0
6 2 5
V
V
μ A
V
μ A
W
m A
V C C I L l o a d = 2 0 0 m A
* Tied to PCB with 1 Square Inch, 2 Ounce Copper. Tja=41 ° C/W using JESD 51 Standard
** Charge current is reduced by VCCIL current. VCCIL current is not limited by the IC
*** Vbat load=75mA. See typical performance curves for load regulation.
? 2005 Semtech Corp.
3
www.semtech.com
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