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参数资料
| 型号： | SCH20000 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.5 A, 20000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | G21, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | SCH20000 |
1997 SEMTECH CORP.
652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320
STANDARD RECOVERY
HIGH VOLTAGE RECTIFIER
ASSEMBLY
SCH5000
SCH7500
SCH10000
SCH12500
SCH15000
SCH20000
SCH25000
January 8, 1998
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SCHJ15K | 0.05 A, 1500 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SCHJ30K | 0.05 A, 30000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SCNAR05F | 40 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SCP-1938 | SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SCP-5282-1 | 60000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SCH2080KE | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:N-channel SiC power MOSFET co-packaged with SiC-SBD |
| SCH2080KEC | 功能描述:MOSFET SiC N-Ch MOSFET w/ SBD 18V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SCH2090KEC | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SIC 1200V; MOSFET; TO-247 PKG 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SIC 1200V; MOSFET; TO-247 PKG - Rail/Tube |
| SCH2102-TL-E | 功能描述:TRANS PNP DUAL 12V 0.5A SCH6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |
| SCH210X | 制造商:Panduit Corp 功能描述: |
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