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参数资料
| 型号： | SCS112AGC |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 681K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220AC |
| 产品培训模块： | Silicon Carbide |
| 特色产品： | Silicon Carbide Diodes |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 12A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.5V @ 12A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 240µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 516pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
    www.rohm.com ? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. DataSheet SCS112AG Fig.7 Derating Curve Ip-Tc Fig.8 Io-Pf Characteristics 0 10 20 30 40 50 60 70 0 25 50 75 100 125 150 175 PEAK FORWARD CURRENT (A) CASE TEMPERATURE : Tc (℃) D.C. Duty=0.1 Duty=0.2 Duty=0.5 Duty=0.8 0 10 20 30 40 50 60 0 5 10 15 20 POWER DISSIPATION (W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT : Io (A) D.C. Duty=0.8 Duty=0.5 Duty=0.2 Duty=0.1 3/3 2012.04 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SCS120AGC | DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO220AC |
| SD101A-A | DIODE SCHOTTKY 60V 400MW DO-35 |
| SD101BW-7-F | DIODE SCHOTTKY 250MW 50V SOD123 |
| SD101CWS-7-F | DIODE SCHOTTKY 40V 200MW SOD323 |
| SD103BW-13-F | DIODE SCHOTTKY 30V 400MW SOD-123 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SCS-112-G-12 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SCKT STRP SKT 12 POS 2.54MM ST - Bulk |
| SCS-112-G-3 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SCKT STRP SKT 12 POS 2.54MM ST - Bulk |
| SCS1-12-PPHH-ILR | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SCS1-12-PPHH-ILR |
| SCS1-12-PPHH-ILR-ID | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SCS1-12-PPHH-ILR-ID |
| SCS1-12-PPHH-NIL | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SCS1-12-PPHH-NIL |
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