参数资料
型号: SCS120AGC
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 505K
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO220AC
产品培训模块: Silicon Carbide
特色产品: Silicon Carbide Diodes
标准包装: 1,000
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 20A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.5V @ 20A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr): 0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 400µA @ 600V
电容@ Vr, F: 860pF @ 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220AC
包装: 管件
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DataSheet
SCS120AG
 
?Electrical characteristic curves
(Ta=25
?C)
10
100
1,000
10,000
0.01 0.1 1 10 100 1000
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS : Ct [pF]
REVERSE VOLTAGE : VR
[V]
Ta=25℃
f=1MHz
0.01
0.1
1
10
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Thermal Resistance :
/W
Pulse width
Pw
s )
Ta=25℃
Single Pulse
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 200 400 600
REVERSE CURRENT (
μ
A)
REVERSE VOLTAGE: VR
(V)
Ta= 125℃
Ta= 75℃
Ta=-25℃
Ta= 25℃
Ta= 175℃
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
FORWARD CURRENT: I
F
(A)
FORWARD VOLTAGE : VF
(V)
Ta= 175℃
Ta= 75℃
Ta=-25℃
Ta= 25℃
pulsed
Ta= 125℃
0
5
10
15
20
25
30
0.00.51.01.52.02.5
FORWARD CURRENT: I
F
(A)
FORWARD VOLTAGE : VF
(V)
Ta= 125℃
Ta= 75℃
Ta=-25℃
Ta= 25℃
pulsed
Ta= 175℃
Fig.1 VF-IF
Characteristics
Fig.2 VF-IF
Characteristics
Fig.3 VR-IR
Characteristics
Fig.4 VR-Ct Characteristics
Fig.5 Thermal Resistance vs Pulse Width
Fig.6 Power Dissipation
0
20
40
60
80
100
120
0 25 50 75 100 125 150 175
Power Dissipation (W)
CASE TEMPERATURE
Tc (℃)
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2012.04 - Rev.B
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