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参数资料
| 型号： | SD101B |
| 厂商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.015 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | SD101B |
SD101B ... SD101C
SD101B ... SD101C
Schottky Barrier Diodes
Schottky-Barrier Dioden
Version 2010-12-06
Dimensions - Mae [mm]
Nominal current
Nennstrom
15 mA
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
40...50 V
Glass case
Glasgehuse
DO-35
SOD-27
Weight approx.
Gewicht ca.
0.04g
Equivalent SMD version
quivalente SMD-Ausführung
LL101B...LL101C
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings and characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VRRM [V]
VF [V] / IF = 1 mA
VF [V] / IF = 15 mA
SD101C
40
< 0.39
< 0.9
SD101B
50
< 0.4
< 0.95
Power dissipation
Verlustleistung
TA = 25°C
Ptot
400 mW 1)
Peak forward surge current, 10 s square pulse
Stostrom für einen 10 s Rechteckimpuls
TA = 25°C
IFSM
2 A
Leakage current, Tj = 25°C
Sperrstrom
SD101C
SD101B
VR = 30 V
VR = 40 V
IR
< 200 nA
Junction Capacitance
Sperrschichtkapazitt
VR = 0 V
f = 1 MHz
Cj
< 2.2 pF
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 5 mA through/über
IR = 5 mA to IR = 0.5 mA
trr
typ. 1 ns
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
+200°C
-55...+200°C
Thermal Resistance Junction – Ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
<300 K/W 1)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
1.9
0.52
62
.5
3.
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD101C-TR | 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| SD101A-TR | 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| SD103ASDM-13 | 0.35 A, 40 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SD103AW/D4 | 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SD103BW/D4 | 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD101B_10 | 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diodes |
| SD101B-A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:SCHOTTKY 50V 0.015A 2PIN DO-35 AMMO - Tape and Reel 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Diode Schottky 50V 0.015A 2-Pin DO-35 Ammo |
| SD101B-T | 功能描述:肖特基二极管与整流器 400MW 50V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SD101B-TAP | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30mA 50 Volt 2A IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SD101B-TP | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 400MW 50V DO-35 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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