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参数资料
| 型号： | SD101BW |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.015 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | SD101BW |
SD101AW, BW, CW
SURFACE MOUNT
SCHOTTKY BARRIER DIODE
REVERSE VOLTAGE – 40 to 60 Volts
FORWARD CURRENT – 0.015 Ampere
FEATURES
Extremely low VF drop
Guard Ring Construction for Transient protection
Negligible Reverse Recovery Time
MECHANICAL DATA
Case: SOD-123 Plastic
Case Material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Lead Free in RoHS 2002/95/EC Compliant
SOD-123
SOD-123
Dim.
Min.
Max.
A
3.55
3.85
B
1.50
1.70
C
2.60
2.80
D
0.45
0.65
E
0.08
0.15
F
0.25
0.45
G
1.05
1.25
H
0.00
0.10
Dimensions in millimeter
Maximum Ratings & Thermal Characteristics @ TA = 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
SD101AW
SD101BW
SD101CW
Units
Repetitive Peak reverse voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRM
60
50
40
V
RMS Reverse Voltage
VR
42
35
28
Forward Continuous Current
IFM
15
mA
Non-Repetitive Peak Forward
Surge Current
@t<1.0s
@t=10s
IFSM
50
2
mA
A
Power Dissipation
PD
400
mW
Thermal Resistance Junction to Ambient
RΘJA
300
/W
℃
Operating Temperature Range
TJ
125
℃
Storage Temperature Range
TSTG
-65~+125
℃
Electrical Characteristics @ TA = 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Test Condition
Symbol
SD101AW
SD101BW
SD101CW
Unit
Reverse Breakdown Voltage
IR = 10uA
VBR
60
50
40
V
Maximum Forward Voltage
IF = 1mA
IF = 15mA
VF
410
1000
400
950
390
900
mV
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
VR = 50V
VR = 40V
VR = 30V
IR
0.2
--
0.2
--
0.2
uA
Typical Diode Capacitance
VR =0V,f=1MHz
CD
2
2.1
2.2
pF
Reverse Recovery time
Irr=0.5mA,
IR=IF=5mA
RL=100
trr
1
nS
REV. 2, Oct-2010, KSHR53
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD103AW-TA | 0.2 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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