参数资料
型号: SD103B-D8
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
封装: GLASS PACKAGE-2
文件页数: 3/4页
文件大小: 133K
代理商: SD103B-D8
VISHAY
SD103A / 103B / 103C
Document Number 85754
Rev. 1.3, 10-Mar-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Package Dimensions in mm (Inches)
Fig. 5 Typ. Non Repetitive Forward Surge Current vs. Pulse width
0
5
10
15
20
25
0.1
1.0
10.0
tp – Pulse width ( ms )
16769
I–
T
yp.
Non
Repetitve
Forward
Surge
Current
(A)
tot
Cathode Identification
2.0 (0.08) max.
0.55 (0.02) max.
3.9 (0.15) max.
26 (1.02) min.
technical drawings
according to DIN
specifications
94 9366
Standard Glass Case
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
26 (1.02) min.
相关PDF资料
PDF描述
SD103C-TAP SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SD103C-TR SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SD103CW-GS08 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SD103CW-GS18 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SD103AW-GS18 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SD103B-F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 400MW DO-35 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
SD103BM3 制造商:GXELECTRONICS 制造商全称:Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd. 功能描述:Schottky Barrier Diode
SD103BMM 制造商:FCI 制造商全称:First Components International 功能描述:350 mA Surface Mounted Schottky Barrier Rectifiers Low Forward Voltage Drop
SD103B-T 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 400mW RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
SD103B-TAP 功能描述:肖特基二极管与整流器 5uA 30 Volt 15A IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel