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参数资料
| 型号： | SD103BWS |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | SD103BWS |
SD103AWS / 103BWS / 103CWS
Document Number 85682
Rev. 1.4, 15-Jul-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Figure 3. Typical Variation of Reverse Current at Various
Temperatures
Figure 4. Typical Capacitance vs. Reverse Voltage
Figure 5. Blocking Voltage Deration vs. Temperature at Various
Average Forward Currents
VR - Reverse Voltage(V)
I
-
Reverse
Current
(
A)
R
18490
100
1000
10
1
0.1
10
20
30
40
050
= 125
°C
Tamb
100
°C
75
°C
50
°C
25
°C
18491
10
20
30
40
050
C
-
Typical
Capacitance
(
p
F
)
T
VR - Reverse Voltage(V)
100
10
1
Tamb - Ambient Temperature ( °C)
18492
100
200
0
V
R
-
Reverse
Voltag
e(V)
30
10
40
20
0
50
= 400 mA
I F
100 mA
200 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD103CWS-GT1 | 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| SD106WS | 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SD103BWS7F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
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