- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录136863 > SD1100C12L (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC) 1170 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SD1100C12L |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 1170 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, CERAMIC, BPUK-2 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | SD1100C12L |
Document Number: 93536
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 14-May-08
3
SD1100C..L Series
Standard Recovery Diodes
(Hockey PUK Version), 1170 A
Vishay High Power Products
Note
The table above shows the increment of thermal resistance RthJ-hs when devices operate at different conduction angles than DC
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
SD1100C..L
UNITS
04 to 20
25 to 32
Maximum junction operating
temperature range
TJ
- 40 to 180 - 40 to 150
°C
Maximum storage temperature range
TStg
- 55 to 200
Maximum thermal resistance,
junction to heatsink
RthJ-hs
DC operation single side cooled
0.11
K/W
DC operation double side cooled
0.05
Mounting force, ± 10 %
9800
(1000)
N
(kg)
Approximate weight
250
g
Case style
See dimensions - link at the end of datasheet
DO-200AB (B-PUK)
ΔR
thJ-hs CONDUCTION
CONDUCTION ANGLE
SINUSOIDAL CONDUCTION
RECTANGULAR CONDUCTION
TEST CONDITIONS
UNITS
SINGLE SIDE
DOUBLE SIDE
SINGLE SIDE
DOUBLE SIDE
180°
0.011
0.008
TJ = TJ maximum
K/W
120°
0.014
0.015
0.014
90°
0.018
0.019
60°
0.026
0.027
0.028
30°
0.045
0.046
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD1100C20L | 1170 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SC021H100A5B | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SC036S030S5P | 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SC036S060A5P | 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SC105H100S5P | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD1100C12L599306 | 制造商:n/a 功能描述:Diode/Heatsink. Assy |
| SD1100C16C | 功能描述:DIODE STD REC 1600V 1400A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD1100C16L | 功能描述:DIODE STD REC 1600V 1170A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD1100C20C | 功能描述:DIODE STD REC 2000V 1400A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD1100C20L | 功能描述:DIODE STD REC 2000V 1170A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。