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参数资料
型号： SD1100C16C
元件分类： 整流器
英文描述： 1400 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装： CERAMIC, B-43, PUK-2
文件页数： 6/7页
文件大小： 112K
代理商： SD1100C16C
SD1100C..C Series
6
Bulletin I2072 rev. D 04/00
www.irf.com
Fig. 9 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 10 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 11 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 12 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 13 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 14 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
0
50 0
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
4 00
800
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180°
120°
90°
60°
30°
RMS Limit
M
a
x
im
u
m
A
v
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rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(W
)
Average For ward Curr en t (A)
Co nd uct io n A ng le
SD 1100 C..C Series
(400V to 2 000 V)
T = 18 0°C
J
0
500
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2 50 0
3 00 0
DC
180°
120°
90°
60°
30°
RM S Lim it
C o nd u c tion Pe riod
M
a
x
im
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
w
e
r
Lo
ss
(W
)
Average Forward Current (A)
SD110 0C..C Series
(40 0V to 200 0V )
T = 1 80°C
J
0
50 0
1000
1500
2000
2500
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0
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400
6 00
800 1 00 0 1200 1400
180 °
120 °
90 °
60 °
30 °
RM S Limit
Co nd uc tio n Ang le
M
a
x
imu
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(W
)
Average Forw ard Curr ent (A)
SD1 100C..C Series
(250 0V to 320 0V)
T = 15 0°C
J
0
50 0
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
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1200
1600
2000
2400
DC
18 0°
12 0°
90°
60°
30°
RMS Lim it
C o nd u ction Pe riod
M
a
x
imu
m
A
v
e
ra
g
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F
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rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Aver age Forward Current (A)
SD110 0C..C Series
(25 00V to 32 00V )
T = 1 50°C
J
300 0
400 0
500 0
600 0
700 0
800 0
900 0
100 00
110 00
120 00
11 0
1 0 0
N um b er O f E q ua l A m p litud e H a lf C y cle Cu rrent Pulses (N )
P
e
ak
Hal
f
S
in
e
W
a
v
e
F
o
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d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
In it ia l T = 1 8 0 °C
@ 60 H z 0.008 3 s
@ 50 H z 0.010 0 s
J
At An y R a t e d L o a d C o n d it io n An d W it h
R a t e d V
A p p lie d Fo llo w in g S urg e .
RRM
SD 1 100C ..C S e rie s
( 400V t o 200 0V )
3000
4000
5000
6000
7000
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11000
12000
13000
14000
0.01
0.1
1
Puls e Train Dura tion (s)
P
e
a
kHal
f
S
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W
a
v
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F
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C
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e
n
t(
A
)
V ersus Pulse Tr ain Duration .
In itial T = 1 80 °C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
RRM
J
Maxim um Non Repetitive Surge Current
SD1 100C..C Series
(4 00V to 20 00V )
相关PDF资料
PDF描述
SD1100C20C 1400 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD1100C32C 1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD1100C32CPBF 1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD1100C08C 1400 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD1100C12C 1400 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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参数描述
SD1100C16L 功能描述:DIODE STD REC 1600V 1170A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
SD1100C20C 功能描述:DIODE STD REC 2000V 1400A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
SD1100C20L 功能描述:DIODE STD REC 2000V 1170A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
SD1100C25C 功能描述:DIODE STD REC 2500V 1100A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
SD1100C25L 功能描述:DIODE STD REC 2500V 910A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
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