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参数资料
| 型号： | SD1100C16LPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 1170 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| 封装： | CERAMIC, BPUK-2 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | SD1100C16LPBF |
SD1100C..L Series
6
Bulletin I2073 rev. D 04/00
www.irf.com
Fig. 9 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 10 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 11 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 12 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 13 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 14 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
0
50 0
100 0
150 0
200 0
250 0
300 0
350 0
0
5 00
10 00
15 00
2 000
250 0
DC
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
Co nd uc tion Pe riod
M
a
xi
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u
m
A
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F
o
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ar
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P
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ss
(
W
)
A v e rag e Fo rw ard C ur re n t ( A )
SD 110 0C ..L Se rie s
( 400V t o 200 0V )
T = 180 ° C
J
0
50 0
100 0
150 0
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250 0
0
4 00
80 0
1 2 0 0
1 600
20 00
DC
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
C o nd uc tion Pe riod
M
a
xi
m
u
m
A
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rag
e
Fo
rw
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P
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rL
o
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(
W
)
A v e rag e Fo rw ard C urr e n t ( A )
SD 1 100C ..L S e ries
( 250 0V to 3200 V )
T = 150 °C
J
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
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200
400
600
800
1000
1200
18 0°
12 0°
90°
60°
30°
RMS Lim it
Co n d uc tio n An gle
M
a
x
im
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A
v
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rag
e
F
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P
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ss
(
W
)
Av erage Forward Cur ren t (A)
SD1 100C..L Series
(2500 V to 3200 V)
T = 150 °C
J
0
500
1 000
1 500
2 000
2 500
0
2 0 0
40 0
600
80 0
1 000 1200 14 00
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
Co n d uc tio n Ang le
M
a
xi
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m
A
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(W
)
A v e ra g e Fo rw a r d C u rre n t ( A )
SD 1100 C ..L S e rie s
( 400 V t o 2000V )
T = 1 8 0 °C
J
3 000
4 000
5 000
6 000
7 000
8 000
9 000
100 00
110 00
120 00
11 0
1 0 0
N um b er O f E q ua l A m p litud e H a lf C yc le Cu rren t Pulse s (N )
P
e
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W
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(A
)
In itia l T = 1 8 0 ° C
@ 60 H z 0.0083 s
@ 50 H z 0.0100 s
J
At An y R a t e d L o a d C o n d it io n An d W it h
R a t e d V
A p p lie d Fo llo w in g S urg e .
RR M
SD 110 0C ..L Se rie s
( 400V t o 2000 V )
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
a
k
H
a
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S
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t(
A
)
Ver sus Pulse Train Duration .
Initial T = 18 0 °C
No V oltag e Reapplied
Rated V
Reapplied
J
RRM
Maxim um Non Repetitive Surge Current
SD1100 C..L Series
(40 0V to 200 0V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD1100C20LPBF | 1170 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD1100C25L | 910 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD1100C14CPBF | 1400 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD400C14CPBF | 800 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
| SD700C38LPBF | 700 A, 3800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD1100C20C | 功能描述:DIODE STD REC 2000V 1400A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD1100C20L | 功能描述:DIODE STD REC 2000V 1170A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD1100C25C | 功能描述:DIODE STD REC 2500V 1100A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD1100C25L | 功能描述:DIODE STD REC 2500V 910A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD1100C30C | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODES Hockey Puk Version |
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