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参数资料
| 型号： | SD1100C32C |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CERAMIC, B-43, PUK-2 |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | SD1100C32C |
SD1100C..C Series
7
Bulletin I2072 rev. D 04/00
www.irf.com
Fig. 19 - Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics
Fig. 17 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 18 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 15 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 16 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
100
1000
10000
0.51
1 .5
2
2 .533 .5
4
T = 25°C
J
Instan ta neous Forward V oltage (V)
In
st
an
ta
n
e
o
u
sF
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t
(A
)
T = 180 °C
J
SD11 00 C..C Series
(4 00V to 200 0V )
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
110
10 0
N um b er O f Eq u a l A m p litud e H a lf Cy cle C urrent P uls es (N )
P
e
a
k
Hal
f
S
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W
a
v
e
F
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rw
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d
C
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rr
e
n
t
(A
)
Initial T = 150°C
@ 60 Hz 0.00 83 s
@ 50 Hz 0.01 00 s
J
SD 1100 C..C Ser ies
(250 0V to 32 00V)
At An y Rated Load Con dition And W ith
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
ak
Hal
f
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Initial T = 150 °C
No V oltage Reapplied
Rated V
Reapplied
J
RRM
Versus Pulse Tr ain Duration.
SD 1100C..C Series
(250 0V to 320 0V)
M aximum Non Repet itive Surge Current
100
1000
10000
0 .51
1 .52
2. 533 .5
44 .5
5
T = 25°C
J
In stantan eous Forward Voltage (V)
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
s
Fo
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
T = 15 0°C
J
SD 1100 C..C Series
(250 0V to 32 00V )
0. 0 0 1
0. 0 1
0. 1
0. 0 0 1
0 . 0 1
0 . 1
1
1 0
Sq u a re W a v e Pu lse D u rat io n ( s)
th
J
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Tr
a
n
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t
Th
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c
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Z
(K
/W
)
St e a d y St at e V a lue
R
= 0 .076 K /W
( Sing le Sid e C ooled )
R
= 0 .038 K /W
( D ou ble Sid e C o o led )
(D C O p e ra t io n )
thJ -hs
SD 1 100C . . C Se ries
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