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参数资料
| 型号： | SD1100C32CPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CERAMIC, B-43, PUK-2 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | SD1100C32CPBF |
SD1100C..C Series
3
Bulletin I2072 rev. D 04/00
www.irf.com
Parameter
Units
Conditions
T
J
Max. junction operating temperature range
-40 to 180
-40 to 150
T
stg
Max. storage temperature range
-55 to 200
R
thJ-hs
Max. thermal resistance, junction
0.076
DC operation single side cooled
to heatsink
0.038
DC operation double side cooled
F
Mounting force, ± 10%
9800
N
(1000)
(Kg)
wt
Approximate weight
83
g
Case style
B - 43
See Outline Table
°C
K/W
SD1100C..C
04 to 20
25 to 32
Thermal and Mechanical Specifications
Ordering Information Table
1
-
Diode
2
-
Essential part number
3
-
0 = Standard recovery
4
-
C = Ceramic Puk
5
-
Voltage code: Code x 100 = V
RRM
(See Voltage Ratings table)
6
-
C = Puk Case B - 43
R
thJ-hs
Conduction
(The following table shows the increment of thermal resistence R
thJ-hs
when devices operate at different conduction angles than DC)
1
2
3
4
5
6
Device Code
SD 110
0
C
32
C
Sinusoidal conduction
Rectangular conduction
Conduction angle
Units
Conditions
Single Side Double Side
Single Side
Double Side
180°
0.007
0.005
120°
0.008
90°
0.010
0.011
60°
0.015
0.016
30°
0.026
K/W
T
J
= T
J
max.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SD1100C32C | 1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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