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参数资料
| 型号： | SD1483 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE TRANSISTORS FM BROADCAST APPLICATIONS |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | SD1483 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD1487 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| SD1488 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS |
| SD1489 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS |
| SD1492 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS |
| SD150R16MSV | STANDARD RECOVERY DIODES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD1485 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| SD1487 | 功能描述:射频双极电源晶体管 NPN 12.5V 30MHz RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| SD1488 | 功能描述:射频双极电源晶体管 NPN 12.5V 470MHz RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| SD1489 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| SD14-8R8 | 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:Inductor Power Shielded Wirewound 8.8uH 20% 100KHz Ferrite 1.14A 191.3mOhm DCR 2020 T/R |
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