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参数资料
| 型号： | SD1489 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS |
| 中文描述： | 射频 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | SD1489 |
OUTPUT POWER vs POWER INPUT
BROADBAND POWER GAIN vs FREQUENCY
INTERMODULATION DISTORTION
vs OUTPUT POWER
COLLECTOR EFFICIENCY vs FREQUENCY
THERMAL RESISTANCE vs CASE
TEMPERATURE
TYPICAL PERFORMANCE
SD1489
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD1492 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS |
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| SD150R16PBV | STANDARD RECOVERY DIODES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD14-8R8 | 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:Inductor Power Shielded Wirewound 8.8uH 20% 100KHz Ferrite 1.14A 191.3mOhm DCR 2020 T/R |
| SD14-8R8-R | 功能描述:固定电感器 8.8uH 1.25A 0.1913ohms RoHS:否 制造商:AVX 电感:10 uH 容差:20 % 最大直流电流:1 A 最大直流电阻:0.075 Ohms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 自谐振频率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:6.6 mm x 4.45 mm |
| SD1490 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| SD1490-1 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| SD1492 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
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