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参数资料
| 型号： | SD1700C30KPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2080 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AC |
| 封装： | CERAMIC, KPUK-2 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | SD1700C30KPBF |
SD1700C..K Series
6
Bulletin I2087 rev. B 04/00
www.irf.com
Fig. 11 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 12 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 9 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 10 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 14 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 13 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
0
10 00
20 00
30 00
40 00
50 00
60 00
0
5 00
10 0 0
1 5 0 0
2 00 0
2 50 0
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
M
a
xi
m
u
m
A
v
e
rag
e
Fo
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
A v e ra g e Fo rw a rd C u rre n t ( A )
S D 1700 C ..K S e ries
( 2 400V t o 360 0V )
T = 1 5 0 °C
J
Co nd uc tio n Ang le
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
1000
2000
3000
4000
DC
180°
120°
90°
60°
30°
RMS Limit
Co n d uc tion Perio d
M
a
x
im
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(W
)
Average For ward Current (A)
SD 1700C..K Series
(2400 V to 3600V )
T = 150°C
J
0
100 0
200 0
300 0
400 0
500 0
600 0
0
5 0 0
100 0
1 500
200 0
250 0
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
Co nd uc tio n An gle
M
a
xi
m
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(W
)
A v e ra g e F o rw a rd C u rre n t ( A )
S D 1700C ..K S e ries
( 4 0 00V t o 4500 V )
T = 1 5 0 °C
J
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
5 00 100 0 1 500 20 00 25 00 3 000 35 00
DC
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
C o nd u c tion P e riod
M
a
x
im
u
m
A
v
e
ra
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
r
Lo
ss
(W
)
A v e r a g e Fo rw a rd C u rre n t ( A )
S D 170 0C ..K S e rie s
( 400 0V t o 45 00V )
T = 1 5 0 °C
J
5000
10000
15000
20000
25000
11 0
1 00
Nu m b er O f E q ua l A m p lit ud e H a lf Cy c le C urrent Pulse s (N )
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t
(A
)
In itial T = 15 0°C
@ 60 Hz 0.0 083 s
@ 50 Hz 0.0 100 s
J
SD1 700C..K Series
(2400 V to 3600 V)
At An y Rated Load Condition And W ith
50% Rated V
Applied Following Surge
RRM
5000
10000
15000
20000
25000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t
(A
)
SD 1700C..K Series
(240 0V to 360 0V)
In itial T = 15 0°C
50 % Rated V
Reapplied
No V oltage Reapplied
RRM
J
Versus Pulse Train Duration.
M aximum Non Repetitive Surge Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD1700C36KPBF | 2080 A, 3600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AC |
| SD1700C45KPBF | 1875 A, 4500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AC |
| SD1700C30K | 2080 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AC |
| SD1700C40K | 1875 A, 4000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AC |
| SD1700C45K | 1875 A, 4500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SD1700C40K | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 2100 A |
| SD1700C45K | 功能描述:DIODE STD REC 4500V 1875A K-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
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