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参数资料
| 型号： | SD2000C04LPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2100 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| 封装： | CERAMIC, BPUK-2 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | SD2000C04LPBF |
SD2000C..L Series
2
Bulletin I2088 rev. B 04/00
www.irf.com
Voltage
V
RRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
max.
Typenumber
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J = 180°C
VV
mA
04
400
500
SD2000C..L
08
800
900
60
10
1000
1100
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
I
F(AV)
Max. average forward current
2100 (1040)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55 (85)
°C
Double side (single side) cooled
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
3900
A
@ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
23900
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
25000
t = 8.3ms
reapplied
20100
t = 10ms
100% V
RRM
21000
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal halfwave,
I2t
Maximum I2t for fusing
2857
t = 10ms
No voltage
Initial T
J = TJ max.
2608
t = 8.3ms
reapplied
2020
t = 10ms
100% V
RRM
1844
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
28570
KA2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1
Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2
High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
1.55
V
I
pk
= 6000A, T
J
= T
J
max, t
p
= 10ms sinusoidal wave
A
KA2s
0.74
(16.7% x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.
Parameter
SD2000C..L
Units
Conditions
Forward Conduction
V
m
0.13
(16.7% x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.
0.86
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.12
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ max.
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