- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录40102 > SD2000C08LPBF 2100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SD2000C08LPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| 封装： | CERAMIC, BPUK-2 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | SD2000C08LPBF |
SD2000C..L Series
2
Bulletin I2088 rev. B 04/00
www.irf.com
Voltage
V
RRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
max.
Typenumber
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J = 180°C
VV
mA
04
400
500
SD2000C..L
08
800
900
60
10
1000
1100
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
I
F(AV)
Max. average forward current
2100 (1040)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55 (85)
°C
Double side (single side) cooled
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
3900
A
@ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
23900
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
25000
t = 8.3ms
reapplied
20100
t = 10ms
100% V
RRM
21000
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal halfwave,
I2t
Maximum I2t for fusing
2857
t = 10ms
No voltage
Initial T
J = TJ max.
2608
t = 8.3ms
reapplied
2020
t = 10ms
100% V
RRM
1844
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
28570
KA2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1
Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2
High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
1.55
V
I
pk
= 6000A, T
J
= T
J
max, t
p
= 10ms sinusoidal wave
A
KA2s
0.74
(16.7% x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.
Parameter
SD2000C..L
Units
Conditions
Forward Conduction
V
m
0.13
(16.7% x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.
0.86
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.12
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ max.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD2000C08L | 2100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD2000C10L | 2100 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD200N08MV | 200 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC |
| SD200N08PV | 200 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC |
| SD200N12MBV | 200 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD2000C10L | 功能描述:DIODE STD REC 1000V 2100A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD200-11-21-241 | 功能描述:PHOTODIODE RED 5.1MM DIA TO-8 RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 系列:- 标准包装:1 系列:- 波长:850nm 颜色 - 增强型:- 光谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:引脚 nm 下响应率:0.62 A/W @ 850nm 响应时间:5ns 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 暗（标准）:1nA 有效面积:1mm² 视角:150° 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4） 其它名称:475-2649-6 |
| SD200-11-31-241 | 功能描述:PHOTODIODE RED 5.1MM DIA TO-8 RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 系列:- 标准包装:1 系列:- 波长:850nm 颜色 - 增强型:- 光谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:引脚 nm 下响应率:0.62 A/W @ 850nm 响应时间:5ns 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 暗（标准）:1nA 有效面积:1mm² 视角:150° 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4） 其它名称:475-2649-6 |
| SD200-12-22-041 | 功能描述:PHOTODIODE BLUE 5.1MM DIA TO-8 RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 系列:- 标准包装:1 系列:- 波长:850nm 颜色 - 增强型:- 光谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:引脚 nm 下响应率:0.62 A/W @ 850nm 响应时间:5ns 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 暗（标准）:1nA 有效面积:1mm² 视角:150° 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4） 其它名称:475-2649-6 |
| SD200-12-22-241 | 功能描述:PHOTODIODE BLUE 5.1MM DIA TO-8 RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 系列:- 标准包装:1 系列:- 波长:850nm 颜色 - 增强型:- 光谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:引脚 nm 下响应率:0.62 A/W @ 850nm 响应时间:5ns 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 暗（标准）:1nA 有效面积:1mm² 视角:150° 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4） 其它名称:475-2649-6 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。