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参数资料
| 型号： | SD300C12CPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 650 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | SD300C12CPBF |
SD300C..C Series
3
Bulletin I2083 rev. C 04/00
www.irf.com
T
J
Max. junction operating temperature range
-40 to 180
-40 to 150
T
stg
Max. storage temperature range
-55 to 200
R
thJ-hs
Max. thermal resistance, junction
0.163
DC operation single side cooled
to heatsink
0.073
DC operation double side cooled
F
Mounting force, ± 10%
4900
N
(500)
(Kg)
wt
Approximate weight
70
g
Case style
DO-200AA
See Outline Table
°C
K/W
SD300C..C
04 to 20
25 to 32
Thermal and Mechanical Specifications
Parameter
Units
Conditions
R
thJ-hs
Conduction
(The following table shows the increment of thermal resistence R
thJ-hs when devices operate at different conduction angles than DC)
Ordering Information Table
1
-
Diode
2
-
Essential part number
3
-
0 = Standard recovery
4
-
C = Ceramic Puk
5
-
Voltage code: Code x 100 = V
RRM
(See Voltage Ratings table)
6
-
C = Puk Case DO-200AA
1
2
3
4
5
6
Device Code
SD
30
0
C
32
C
Sinusoidal conduction
Rectangular conduction
Conduction angle
Units
Conditions
Single Side Double Side
180°
0.017
0.011
0.012
120°
0.020
90°
0.025
0.027
60°
0.036
0.038
30°
0.064
0.062
0.065
0.062
K/W
T
J = TJ max.
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PDF描述 |
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| SD300C12C | 650 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
| SD300C04CPBF | 650 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
| SD300C04CPBF | 650 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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