参数资料
型号: SD303C20S20CPBF
元件分类: 整流器
英文描述: 350 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
封装: PUK-2
文件页数: 5/8页
文件大小: 204K
代理商: SD303C20S20CPBF
SD303C..C Series
5
Bulletin I2066 rev. C 04/00
www.irf.com
Fig. 3 - Current Ratings Characteristics
Fig. 4 - Current Ratings Characteristics
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 5 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 8 - Maximum Non-repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
40
50
60
70
80
90
10 0
11 0
12 0
13 0
0
100
200
300
400
50 0
600
30°
60 °
90°
180°
DC
120°
Average Forwa rd Curr en t (A)
M
a
xi
mu
m
A
llo
w
a
bl
e
He
at
si
n
k
T
e
mpe
rat
u
re
(
°C)
C o nd u c tion Pe riod
SD3 03C..C Series
(D ouble Side Cooled)
R
(DC) = 0.08 K/W
th J- hs
40
50
60
70
80
90
10 0
11 0
12 0
13 0
0
50
10 0 15 0 2 00 25 0 30 0 35 0 40 0
30°
60°
90°
120 °
180°
Aver age For ward Curr en t (A)
M
a
x
im
u
m
A
llo
w
a
bl
e
He
at
si
n
k
T
e
m
p
e
rat
u
re
C)
Co nd uc tio n A ng le
SD303 C..C Series
(D ouble Side Cooled)
R
(DC) = 0 .08 K/W
thJ -h s
0
10 0
20 0
30 0
40 0
50 0
60 0
70 0
80 0
0
5 0
100 150 2 0 0 2 50 3 0 0 350 40 0
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
A v e ra g e F o rw a rd C u rre n t ( A )
M
a
xi
m
u
m
A
v
e
rag
e
Fo
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
RM S L im it
Co nd uc tio n An g le
SD 3 0 3 C ..C Se rie s
T = 125 °C
J
0
10 0
20 0
30 0
40 0
50 0
60 0
70 0
80 0
90 0
10 00
0
100
20 0
3 0 0
400
50 0
6 0 0
DC
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
A v era g e Fo rw a rd C u r re n t ( A )
RM S L im it
M
a
xi
m
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
C o nd u ct ion Pe riod
SD 3 0 3 C ..C Se rie s
T = 125 °C
J
2 000
2 500
3 000
3 500
4 000
4 500
5 000
5 500
11 0
1 0 0
N um b er O f E q ua l Am p litud e H a lf C ycle C urrent Puls es (N )
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
In itia l T = 1 2 5 °C
@ 60 H z 0.0 083 s
@ 50 H z 0.0 100 s
J
At An y Ra t e d L o a d C o n d it io n A n d W ith
R a t e d V
A pplie d Fo llo w in g Su rg e .
RRM
SD 30 3C ..C Se r ies
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
0.01
0.1
1
Pu lse T ra in D u ra t io n ( s)
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
In itia l T = 1 2 5 ° C
N o V o lt ag e R e applie d
Ra t e d V
Re a p p lie d
RR M
J
V e r su s P u lse T ra in D u ra t io n .
M a x im u m N o n R e p e t itiv e S u rg e C u rre n t
S D 3 0 3 C ..C Se rie s
相关PDF资料
PDF描述
SD403C06S10CPBF 430 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD453N12S30MTCPBF 450 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD500R40PCPBF 475 A, 4000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600N06FCPBF 600 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600N32PCMPBF 600 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SD303C25S10C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 350 A
SD303C25S15C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 350 A
SD303C25S20 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FAST RECOVERY DIODES Hockey Puk Version
SD303C25S20C 功能描述:DIODE FAST REC 2500V 350A A-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
SD303EVK 功能描述:BOARD EVAL CABLE DVR HD/SD SDI RoHS:否 类别:编程器,开发系统 >> 评估演示板和套件 系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 主要目的:电源管理,电池充电器 嵌入式:否 已用 IC / 零件:MAX8903A 主要属性:1 芯锂离子电池 次要属性:状态 LED 已供物品:板