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参数资料
| 型号： | SD5491-001 |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | METAL CAN, TO-18, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 380K |
| 代理商： | SD5491-001 |
Silicon Phototransistor
SD5491
Spectral Responsivity
gra_036.ds4
Wavelength - nm
R
e
la
ti
v
e
re
s
p
o
n
s
e
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
400
600
800
1000 1200
Fig. 5
Coupling Characteristics
with SE5470
gra_046.ds4
Lens tip-to-lens tip distance - inches
N
o
rm
a
liz
e
d
lig
h
t
c
u
rr
e
n
t
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
Fig. 6
Collector Current vs
Ambient Temperature
gra_302.cdr
Fig. 7
All Performance Curves Show Typical Values
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
115
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD5491-002 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD5491-003 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD5600-001 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| SD560T | 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB |
| SD5610-001 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD5491-002 | 功能描述:光电晶体管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD5491-003 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD5491-004 | 功能描述:光电晶体管 Silicon PhotoTrans TO-18 Mtl Can Pkg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD5491-004-JAB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:Infrared Sensors |
| SD5491-005 | 功能描述:光电晶体管 Silicon Phototransis RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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