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参数资料
| 型号： | SD5491-002 |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | METAL CAN, TO-18, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 380K |
| 代理商： | SD5491-002 |
Silicon Phototransistor
SD5491
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
cir_003.cdr
cir_029.cdr
Responsivity vs
Angular Displacement
gra_042.ds4
Angular displacement - degrees
R
e
la
ti
v
e
re
s
p
o
n
s
e
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
-40
-30
-20
-10
0
+10 +20 +30 +40
Fig. 1
Collector Current vs
Irradiance
gra_043.ds4
Irradiance - mW/cm
C
o
lle
c
to
r
c
u
rr
e
n
t
-
m
A
0
5
10
15
20
0
4
8
12
16
20
25
Fig. 2
Dark Current vs
Temperature
gra_044.ds4
Temperature - °C
C
o
lle
c
to
r
d
a
rk
c
u
rr
e
n
t
-
n
A
0.1
1.0
10
100
1000
25
50
75
100
125
150
Fig. 3
Rise and Fall Time vs
Load Resistance
gra_045.ds4
Load resistance - Ohms
R
is
e
a
n
d
fa
ll
ti
m
e
-
s
0
10
20
30
40
60
0
2 K
4 K
6 K
8 K
10 K
50
T
F
T
R
Fig. 4
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
114
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD5491-003 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD5600-001 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| SD560T | 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB |
| SD5610-001 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| SD803C14S15C | 845 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD5491-003 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD5491-004 | 功能描述:光电晶体管 Silicon PhotoTrans TO-18 Mtl Can Pkg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD5491-004-JAB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:Infrared Sensors |
| SD5491-005 | 功能描述:光电晶体管 Silicon Phototransis RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD5491-006 | 功能描述:光电晶体管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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