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参数资料
| 型号： | SD553C36S50L |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 560 A, 3600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| 封装： | BPUK-2 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | SD553C36S50L |
SD553C..S50L Series
5
Bulletin I2092 rev. C 04/00
www.irf.com
Fig. 3 - Current Ratings Characteristics
Fig. 4 - Current Ratings Characteristics
Fig. 5 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 8 - Maximum Non-repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
20
30
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30 °
60 °
90 °
120 °
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A v e ra g e Fo rw a r d C u rre n t ( A )
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Co nd uc tio n Ang le
S D 5 53C ..S 50L Se rie s
( D ou b le Sid e C o oled )
R
( D C ) = 0 .0 3 1 K / W
thJ -hs
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DC
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(
°C)
C o nd uc tion Pe riod
SD 553 C..S50 L Series
(Double Side Cooled)
R
(DC) = 0.031 K/W
thJ -h s
0
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RMS Lim it
Co n d uc tio n An g le
SD5 53C..S50L Series
T = 125 °C
J
0
500
1000
1500
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2500
3000
3500
0
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1000
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DC
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Average Forwar d Current (A)
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C o nd uc tion Pe riod
SD553 C..S50L Series
T = 125°C
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N um b er O f E q ua l A m p litud e H a lf Cy cle C urren t Pulses (N )
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S D 55 3C ..S5 0L S e rie s
In it ia l T = 1 2 5 °C
@ 60 H z 0 .0 083 s
@ 50 H z 0 .0 100 s
At An y R a te d L o a d C o n d it io n An d W it h
5 0 % R a t e d V
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P u lse T ra in D u ra tio n ( s)
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In itial T = 1 2 5°C
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5 0 % R at e d V
R e ap p lie d
V e rsu s P ulse T ra in D u rat io n .
RRM
J
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PDF描述 |
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参数描述 |
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