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参数资料
| 型号： | SD5610-001 |
| 元件分类： | 光电元器件 |
| 英文描述： | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| 封装： | METAL, TO-46, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 545K |
| 代理商： | SD5610-001 |
Optoschmitt Detector
SD5600/5610
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNITS
TEST CONDITIONS
MIN
PARAMETER
SYMBOL
TYP
MAX
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(25C Free-Air Temperature unless otherwise noted)
Supply Voltage
16 V []
Duration of Output
Short to V or Ground
1.0 sec
Output Current
18 mA
Operating Temperature Range
-40C to 100C
Storage Temperature Range
-55C to 125C
Soldering Temperature (10 sec)
260C
Notes
1. Derate linearly from 25C to 7 V at 100C.
SCHEMATIC
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
177
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD803C14S15C | 845 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SDA280AA | 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SDA280CC | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SDC15.TCT | 300 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| SDF08 | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD56120 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD56120_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| SD56120C | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Power LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD56120M | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD56120MK | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
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