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参数资料
| 型号： | SD570-12HB |
| 元件分类： | 位置变换器 |
| 英文描述： | SYNCHRO OR RESOLVER TO DIGITAL CONVERTER, XMA42 |
| 封装： | 4.500 X 3 INCH, 0.820 INCH HEIGHT, MODULE-42 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | SD570-12HB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDC-14560-892 | SYNCHRO OR RESOLVER TO DIGITAL CONVERTER, MDIP36 |
| SDC-14560-871 | SYNCHRO OR RESOLVER TO DIGITAL CONVERTER, DIP36 |
| SDC-14554-124 | SYNCHRO OR RESOLVER TO DIGITAL CONVERTER, CQIP34 |
| SDC426-1D9 | SYNCHRO OR RESOLVER TO DIGITAL CONVERTER, DIP10 |
| SDC426-8C9 | SYNCHRO OR RESOLVER TO DIGITAL CONVERTER, DIP10 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD57030 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD57030-01 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD57045 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD57045-01 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD57060 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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