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参数资料
| 型号： | SD570-21SS |
| 元件分类： | 位置变换器 |
| 英文描述： | SYNCHRO OR RESOLVER TO DIGITAL CONVERTER, XMA42 |
| 封装： | 4.500 X 3 INCH, 0.820 INCH HEIGHT, MODULE-42 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | SD570-21SS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD6000C25RPBF | 6690 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD603C04S10C | 600 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SDA07H0B | SLIDE DIP SWITCH-7SWITCHES, SPST, LATCHED,0.1A, 50VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| SDA12H0SBD | SLIDE DIP SWITCH-12SWITCHES, SPST, LATCHED,0.1A, 50VDC, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
| SDA01H0SBR | SLIDE DIP SWITCH-1SWITCHES, SPST, LATCHED,0.1A, 50VDC, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD57030 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD57030-01 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD57045 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD57045-01 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| SD57060 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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