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参数资料
| 型号： | SD600N04PCPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 600 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | SD600N04PCPBF |
SD600N/R Series
Bulletin I2070 rev. C 03/03
www.irf.com
3
Parameter
Units
Conditions
SD600N/R
04 to 20
22 to 32
T
J
Max. junction operating temperature range
-40 to 180
-40 to 150
Tstg
Max. storage temperature range
-55 to 200
R
thJC
Max. thermal resistance, junction to case
0.1
DC operation
R
thCS
Max. thermal resistance, case
Mounting surface, smooth, flat and
to heatsink
greased
T
Max. allowed mounting torque ±10%
50
Nm
Not lubricated threads
wt
Approximate weight
454
g
Case style
B - 8
See Outline Table
°C
0.04
K/W
Thermal and Mechanical Specifications
180°
0.012
0.008
120°
0.014
90°
0.017
0.019
K/W
T
J
= T
J
max.
60°
0.025
0.026
30°
0.042
Conduction angle
Sinusoidal conduction Rectangular conduction Units
Conditions
R
thJC
Conduction
(The following table shows the increment of thermal resistence R
thJC when devices operate at different conduction angles than DC)
Ordering Information Table
1
2
3
4
6
Device Code
SD
60
0
N
32
P
C
1
-
Diode
2
-
Essential part number
3
-
0 = Standard recovery
4
-
N = Stud Normal Polarity (Cathode to Stud)
R = Stud Reverse Polarity (Anode to Stud)
5
-
Voltage code: Code x 100 = V
RRM
(See Voltage Ratings table)
6
-
P = Stud base B-8 3/4" 16UNF-2A
7
-
C = ceramic cap
NOTE: For Metric Device M24 x 1.5 Contact Factory
7
5
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| SD300C06CPBF | 650 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
| SD300C10CPBF | 650 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
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