- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录40114 > SD600N22PCPBF 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SD600N22PCPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | SD600N22PCPBF |
SD600N/R Series
6
Bulletin I2070 rev. C 03/03
www.irf.com
2000
4000
6000
8000
10000
12000
110
100
Numb er Of Equa l Amp litud e Ha lf Cyc le Current Pulses (N)
P
e
ak
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
At Any Rated Load Condition And With
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
Initial T = 180°C
@60 Hz 0.0083 s
@50 Hz 0.0100 s
J
SD600N/ RSeries
(400V to 2000V)
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
a
k
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Maximum Non Repetitive Surge Current
Versus Pulse Train Duration.
Initial T = 180 °C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
RRM
J
SD600N/ RSeries
(400V to 2000V)
Fig. 9 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 10 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
25
50
75
100
125
150
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
1 K/ W
R
=
0.0
2
K/W
- D
elt
a
R
th
SA
0.0
4
K/W
0.0
6
K/W
0.1
K/W
0.2
K/ W
0.4 K/W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
100
200
300
400
500
600
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
Cond uc tion Angle
M
a
x
imu
m
A
v
e
ra
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Average Forward Current (A)
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
T = 150°C
J
25
50
75
100
125
150
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
1 K/W
R
=
0.0
2
K/ W
- D
elta
R
th
SA
0.0
4 K
/ W
0.0
6 K
/ W
0.1
K/ W
0.2 K
/ W
0.4 K/ W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
DC
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
Cond uc tion Period
M
a
x
im
u
m
A
v
er
a
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Average Forward Current (A)
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
T = 150°C
J
Fig. 7 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 8 - Forward Power Loss Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD600N12PC | 600 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD600R08PC | 600 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD600N22PC | 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD600R08PCPBF | 600 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD600R22PCPBF | 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD600N25PC | 功能描述:DIODE STD REC 2500V 600A B-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| SD600N28PC | 功能描述:DIODE STD REC 2800V 600A B-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| SD600N32PC | 功能描述:DIODE STD REC 3200V 600A B-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| SD600NR | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A |
| SD600R | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。