- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录150805 > SD600N28PC (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC) 600 A, 2800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SD600N28PC |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 600 A, 2800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, CERAMIC, B-8, 1 PIN |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | SD600N28PC |
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93551
2
Revision: 17-Apr-08
SD600N/R Series
Vishay High Power Products Standard Recovery Diodes
(Stud Version), 600 A
FORWARD CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
SD600N/R
UNITS
04 to 20
22 to 32
Maximum average forward current
at case temperature
IF(AV)
180° conduction, half sine wave
600
A
92
54
°C
570
375
A
100
°C
Maximum RMS forward current
IF(RMS)
DC at TC = 75 °C (04 to 20), TC = 36 °C (25 to 32)
940
A
Maximum peak, one-cycle forward,
non-repetitive surge current
IFSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
13 000
10 500
t = 8.3 ms
13 600
11 000
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
10 900
8830
t = 8.3 ms
11 450
9250
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
845
551
kA2s
t = 8.3 ms
772
503
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
598
390
t = 8.3 ms
546
356
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
8450
5510
kA2
√s
Low level value of threshold voltage
VF(TO)1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)),
TJ = TJ maximum
0.78
0.84
V
High level value of threshold voltage
VF(TO)2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.87
0.88
Low level value of forward
slope resistance
rf1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)),
TJ = TJ maximum
0.35
0.40
m
Ω
High level value of forward
slope resistance
rf2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.31
0.38
Maximum forward voltage drop
VFM
Ipk = 1500 A, TJ = TJ maximum,
tp = 10 ms sinusoidal wave
1.31
1.44
V
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
SD600N/R
UNITS
04 to 20
22 to 32
Maximum junction operating
temperature range
TJ
- 40 to 180 - 40 to 150
°C
Maximum storage temperature range
TStg
- 55 to 200
Maximum thermal resistance,
junction to case
RthJC
DC operation
0.1
K/W
Maximum thermal resistance,
case to heatsink
RthCS
Mounting surface, smooth, flat and greased
0.04
Maximum allowed
mounting torque ± 10 %
Not-lubricated threads
50
Nm
Approximate weight
454
g
Case style
See dimensions (link at the end of datasheet)
B-8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SAM50FTXV | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SPD3893S | 12 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| SZN4461SMSTX | 6.8 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SZN4468SMSTXV | 13 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SZN4470SMS | 16 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD600N32PC | 功能描述:DIODE STD REC 3200V 600A B-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| SD600NR | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A |
| SD600R | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version |
| SD600R04PC | 功能描述:DIODE STD REC 400V 600A B-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| SD600R08PC | 功能描述:DIODE STD REC 800V 600A B-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。