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参数资料
| 型号： | SD603C20S20C |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 600 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | B-43, 2 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | SD603C20S20C |
SD603C..C Series
7
Bulletin I2068 rev. C 04/00
www.irf.com
Fig. 15 - Recovery Time Characteristics
Fig. 17 - Recovery Current Characteristics
Fig. 16 - Recovery Charge Characteristics
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1 0 20 3 0 40 50 60 7 0 80 90 100
M
a
x
im
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
C
h
a
rg
e
-
Q
rr
(
C
)
R a te O f Fall O f Fo rw ard C urre nt - di/d t (A /s)
I
= 1 00 0 A
Sq ua re Puls e
FM
50 0 A
250 A
SD 60 3C . .S 15C Se rie s
T = 12 5 ° C ; V
= 30V
r
J
40
60
80
100
120
140
160
180
200
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
M
a
xi
m
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
C
h
a
rg
e
-
Q
rr
(
C
)
Ra te O f Fall O f Forwa rd C urre nt - di/d t (A/s)
I
= 1 000 A
Sq u a re Puls e
500 A
250 A
FM
S D 603C .. S2 0C Se rie s
T = 125 °C ; V
= 30V
r
J
2
2. 5
3
3. 5
4
4. 5
10
100
Ra te O f Fa ll O f Forw ard C urre nt - di/d t (A /s)
M
a
xi
m
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
T
im
e
-
T
rr
(
s)
I
= 1000 A
Sq ua re Pulse
50 0 A
250 A
FM
S D 603C . .S 20C Se rie s
T = 125 °C ; V
= 30V
r
J
2
2.5
3
3.5
4
10
100
Ra te O f Fa ll O f F o rw a rd Cu rre nt - d i/d t (A /s )
M
a
x
im
u
m
Re
v
e
rs
e
Re
c
o
v
e
ry
Ti
me
-
T
rr
(
s)
I
= 1 00 0 A
Sq ua re Pu ls e
FM
500 A
250 A
SD6 03C ..S15C Series
T = 1 25 °C ; V
= 30V
r
J
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
10 20 30 40 5 0 60 70 80 9 0 10 0
M
a
xi
m
u
m
R
e
ve
rse
R
e
c
o
v
e
ry
C
u
rre
n
t
-
Irr
(
A
)
R a te O f Fall O f Fo rward Curre nt - di/d t (A /s)
I
= 1 000 A
Sq ua re Pulse
FM
500 A
250 A
SD6 03C ..S2 0C Series
T = 1 25 °C ; V
= 30V
r
J
20
30
40
50
60
70
80
90
10 0
11 0
12 0
13 0
14 0
10 20 30 40 5 0 60 70 80 90 100
M
a
x
im
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
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C
u
rr
e
n
t-
I
rr
(A
)
Ra te O f Fa ll O f Fo rw a rd Current - d i/d t (A /s )
I
= 1 00 0 A
Sq u a re Pu lse
FM
500 A
250 A
SD 603C . .S 15C Se ries
T = 125 °C ; V
= 30V
r
J
Fig. 18 - Recovery Time Characteristics
Fig. 19 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 20 - Recovery Current Characteristics
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1E 1
1 E 2
1 E 3
1 E 4
1
2
0.1
Pu lse Ba se w id t h ( s)
P
e
ak
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t
(A
)
4
d v/ d t = 1000V/ s
Sin uso id al Pul se
2 0 jo ule s pe r puls e
10
0.4
0.2
0. 04
0.02
0.0 1
SD 603C..S10 C Se ries
T = 125 °C, V
= 11 20 V
J
RR M
tp
1E 4 1 E1
1 E 2
1 E3
1 E 4
1
2
0. 1
P ulse Ba se w id t h ( s)
4
20 jo ule s p er p uls e
10
0. 4
0.2
Trap ezo ida l Pul se
d v/ dt = 1000V/ s; di/ dt =5 0A / s
SD 603C..S10C Se rie s
T = 125 °C , V
= 1120V
J
RRM
tp
1E 1
Fig. 21 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
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PDF描述 |
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