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参数资料
| 型号： | SD800C40L |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 1065 A, 4000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| 封装： | BPUK-2 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | SD800C40L |
SD800C..L Series
2
Bulletin I2085 rev. B 04/00
www.irf.com
Voltage
V
RRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
max.
Type number
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J
= T
J
max.
VV
mA
24
2400
2500
30
3000
3100
SD800C..L
36
3600
3700
50
40
4000
4100
45
4500
4600
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
I
F(AV)
Max. average forward current
1180(550) 1065(490)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55(85)
°C
Double side (single side) cooled
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
2280
2040
A
@ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
13600
12200
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
14240
12800
t = 8.3ms
reapplied
11440
10250
t = 10ms
50% V
RRM
11980
10750
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal halfwave,
I2 t
Maximum I2t for fusing
925
745
t = 10ms
No voltage
Initial T
J = TJ max.
845
680
t = 8.3ms
reapplied
654
526
t = 10ms
50% V
RRM
597
480
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
9250
7450
KA2
√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1
Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2
High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
1.66
1.95
V
I
pk
= 2000A, T
J
= T
J
max, t
p
= 10ms sinusoidal wave
A
KA2s
V
m
0.34
0.41
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.38
0.44
(16.7% x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.
1.10
1.18
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.90
1.06
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
Forward Conduction
Parameter
Units
Conditions
SD800C..L
24 to 36
40 to 45
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD800C24LPBF | 1180 A, 2400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD800C40LPBF | 1065 A, 4000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD803C08S10CPBF | 845 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD803C10S10CPBF | 845 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD803C12S15CPBF | 845 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD800C45L | 功能描述:DIODE STD REC 4500V 1065A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD-801AJ BLUE | 制造商:SUNDOVE Industrial 功能描述: |
| SD-801AT YELLOW | 制造商:SUNDOVE Industrial 功能描述: |
| SD803C | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FAST RECOVERY DIODES Hockey Puk Version |
| SD803C04S10C | 功能描述:DIODE FAST REC 400V 845A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
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