收藏本站
参数资料
型号： SD803C08S10CPBF
元件分类： 整流器
英文描述： 845 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装： B-43, 2 PIN
文件页数： 6/7页
文件大小： 163K
代理商： SD803C08S10CPBF
SD803C..C Series
6
Bulletin I2069 rev. B 04/00
www.irf.com
Fig. 10 - Thermal Impedance Z
thJ-hs
Characteristic
Fig. 9 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 11 - Recovery Time Characteristics
Fig. 12 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 13 - Recovery Current Characteristics
Fig. 16 - Recovery Current Characteristics
Fig. 14 - Recovery Time Characteristics
Fig. 15 - Recovery Charge Characteristics
10
10 0
1000
10000
0
0 .5
1
1. 522 .5
33 .544 .5
T = 2 5°C
J
Instanta neous Forward V oltage (V )
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
s
F
o
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
T = 1 25°C
J
SD 803 C..C Series
0 . 001
0. 0 1
0.1
0.001
0. 01
0 . 1
1
10
10 0
Sq u a re W a v e P u lse D u ra tio n ( s)
th
J
-h
s
Tr
a
n
si
en
tT
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
a
n
c
e
Z
(K
/W
)
St e a d y S t a te V a lu e
R
= 0 . 0 7 6 K / W
( Sin g le S id e C o oled )
R
= 0 . 0 3 8 K / W
( D ou b le Sid e C o oled )
(D C O p e ra t io n )
thJ -hs
SD 8 0 3 C ..C S e rie s
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10 0
11 0
12 0
1 0 20 3 0 40 50 60 70 80 9 0 10 0
M
a
xi
m
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
C
u
rre
n
t-
Ir
r
(A
)
R a te O f Fa ll O f Fo rw ard C urre nt - di/d t (A/s)
I
= 1 000 A
Sq ua re Pulse
FM
500 A
250 A
S D 803C . .S 10C Se rie s
T = 125 ° C; V
= 3 0 V
r
J
20
30
40
50
60
70
80
90
10 0
11 0
12 0
13 0
10 20 30 40 50 60 7 0 80 90 100
M
a
x
im
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
C
h
a
rg
e
-Q
rr
(
C
)
Ra te O f Fall O f Fo rw ard C urre nt - di/d t (A /s)
I
= 1000 A
Sq ua re Puls e
FM
500 A
250 A
S D 803 C . . S10 C Se ries
T = 125 ° C; V
= 3 0 V
r
J
1. 6
1. 7
1. 8
1. 9
2
2. 1
2. 2
10
10 0
Ra te O f Fall O f Fo rw ard C urre nt - d i/d t ( A/s)
M
a
x
im
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
T
im
e
-T
rr
(
s)
I
= 10 00 A
Sq u a re P uls e
50 0 A
25 0 A
FM
S D 803 C . . S10 C Se ries
T = 125 ° C; V
= 3 0 V
r
J
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
10 20 3 0 40 5 0 6 0 70 8 0 90 1 00
M
a
x
im
u
m
R
e
ve
rse
R
e
c
o
ve
ry
C
u
rre
n
t
-I
rr
(
A
)
Ra te O f Fall O f Fo rw ard Cu rren t - di/d t (A / s)
I
= 1 00 0 A
Sq u a re P uls e
FM
500 A
250 A
SD803 C..S15 C Series
T = 125 °C; V = 3 0V
r
J
40
60
80
100
120
140
160
180
200
10 2 0 30 40 50 60 70 80 90 100
M
a
xi
m
u
m
R
e
v
e
rse
R
e
c
o
ve
ry
C
h
a
rg
e
-
Q
rr
(
C
)
R a te O f Fall O f Fo rwa rd C urren t - di/ d t (A /s)
I
= 10 00 A
Sq ua re Pulse
FM
500 A
250 A
SD803C ..S15C Ser ies
T = 125 °C; V
= 3 0V
r
J
2
2. 5
3
3. 5
4
10
1 0 0
Ra te O f Fall O f Fo rw ard C urre nt - d i/d t ( A/s)
M
a
xi
m
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
T
im
e
-
T
rr
(
s)
I
= 1 000 A
Sq ua re Pulse
FM
500 A
2 50 A
S D 803 C . . S15 C Se rie s
T = 125 ° C; V
= 3 0 V
J
r
相关PDF资料
PDF描述
SD803C10S10CPBF 845 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD803C12S15CPBF 845 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD803C08S10C 845 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD803C14S15C 845 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD8100S 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252
相关代理商/技术参数
参数描述
SD803C08S15C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 845 A
SD803C10S10C 功能描述:DIODE FAST REC 1000V 845A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
SD803C10S15C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 845 A
SD803C12S10C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 845 A
SD803C12S15C 功能描述:DIODE FAST REC 1200V 845A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*