参数资料
型号: SD823C20S30C
元件分类: 整流器
英文描述: 910 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: B-43, 2 PIN
文件页数: 2/10页
文件大小: 214K
代理商: SD823C20S30C
SD823C..C Series
10
Bulletin I2074 rev. D 04/00
www.irf.com
Fig. 34 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 35 - Frequency Characteristics
Fig. 38 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 39 - Frequency Characteristics
1E 2
1E 3
1E 4
1E1
1 E2
1E 3
1 E4
1
2
Pulse Basewidth (s)
P
e
a
k
F
o
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
10 jo u le s p e r p uls e
6
4
dv / dt = 10 00V/ s
Sin uso id al Pu l se
T = 15 0° C, V
= 8 00 V
J
RRM
0.6
0. 4
0. 2
0.1
SD 823C ..S30C Se ri e s
tp
1E2
1E3
1E4
1E 1
1 E2
1E3
1 E4
Pulse Basewidth (s )
50 H z
200
10000
10 0
4000
d v /d t = 100 0V / us
20000
40 0
15000
1000
2000
6000
P
e
a
kF
o
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
T = 5 5 ° C , V
= 800V
C
RRM
SD 823C ..S30C Se r ie s
Si nu so id al P ul se
tp
3000
1E 2
1E 3
1E 4
1E1
1E2
1E3
1 E4
Pulse Basewidth (s)
Tra pe zo id al Pu lse
50 H z
100
20 0
400
1000
1500
2000
4000
3000
600
6000
10000
15000
P
e
ak
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
T = 5 5 ° C, V
= 8 00 V
dv / dt = 1000V /u s,
di /d t = 30 0A/ us
C
RR M
SD 823C..S30C Se ri es
tp
1E 2
1E 3
1E 4
1E1
1 E2
1E 3
1 E4
1
2
Pulse Basew idth (s)
4
10 jo ules per puls e
6
P
e
a
k
Fo
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
d v/ d t = 1000V/ s
d i/d t = 300A / s
T = 150 °C , V
= 800V
0.6
0.4
J
RR M
SD 823C..S30C S e rie s
Tra pez o idal Pulse
tp
0. 8
1E2
1E3
1E4
1 E11 E2
1E 31 E4
1
2
Pulse Basew idth (s)
4
10 jo ules p er p ulse
6
Trap ezo ida l Pulse
P
e
a
kF
o
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
0.6
0.4
T = 1 50 °C, V
= 800V
d v /d t = 1000V/ s
d i/ dt = 10 0A / s
J
RRM
SD 823C ..S 30 C Se ri es
tp
1E2
1E3
1E4
1E 1
1 E2
1E3
1 E4
Pulse Basewidth (s )
50 H z
200
10000
10 0
4000
d v /d t = 100 0V / us
20000
40 0
15000
1000
2000
6000
P
e
a
k
F
o
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
T = 5 5 ° C , V
= 800V
C
RRM
SD 823C ..S30C Se r ie s
Si nu so id al P ul se
tp
3000
Fig. 36 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 37 - Frequency Characteristics
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PDF描述
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SD823C12S30CPBF 910 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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