- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19934 > SDIN2B2-2G-Q (SanDisk)IC INAND FLASH 2GB 169FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SDIN2B2-2G-Q |
| 厂商： | SanDisk |
| 文件页数： | 28/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INAND FLASH 2GB 169FBGA |
| 标准包装： | 112 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - NAND |
| 存储容量： | 16G（2G x 8） |
| 速度： | 50MHz |
| 接口： | SD/SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 169-FBGA |
| 供应商设备封装： | 169-BGA（12x18） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页当前第28页第29页
Appendix B –Ordering Information
Revision 1.1
Appendix B
PRELIMINARY
Ordering Information
SanDisk iNAND Product Manual
B.1
iNAND (JC64 Package)
To order SanDisk products directly from SanDisk, call (408) 801-1000.
Part Number
Block Size
1
12 mm x 16 mm x 1.2 mm Package
SDIN2C1-512M
SDIN2C2-1G
SDIN2C2-2G
512 MB
1 GB
2 GB
12 mm x 18 mm x 1.2 mm Package
SDIN2B2-2G
SDIN2B2-4G
SDIN2B2-8G
2 GB
4 GB
8 GB
Note: If parts will be shipped by tape/reel, add “T” to the
end of the part number. For example, SDIN2B2-8G would
become SDIN2B2-8G-T.
1
1 megabyte (MB) = 1 million bytes; 1 gigabyte (GB) = 1 billion bytes. Some of the listed capacity is used for
formatting and other functions, and thus is not available for data storage.
? 2007 SanDisk Corporation
B-1
02/09/07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BN2-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 15V 150W |
| LTC4211CMS8 | IC CONTROLLER HOT SWAP 8-MSOP |
| SDIN2C2-2G | IC INAND FLASH 2GB 169FBGA |
| VE-BN1-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W |
| LTC4241IGN#TR | IC CTRLR HOTSWAP 3.3V AUX 20SSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDIN2B2-2G-T | 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2B2-4G | 功能描述:IC INAND FLASH 4GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2B2-4G-Q | 功能描述:IC INAND FLASH 4GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2B2-4G-T | 功能描述:IC INAND FLASH 4GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2B2-8G | 功能描述:IC INAND FLASH 8GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。