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参数资料
| 型号： | SDIN2C1-512M |
| 厂商： | SanDisk |
| 文件页数： | 7/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INAND FLASH 512MB 169FBGA |
| 标准包装： | 112 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - NAND |
| 存储容量： | 4G（512M x 8） |
| 速度： | 50MHz |
| 接口： | SD/SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 169-FBGA |
| 供应商设备封装： | 169-BGA（12x16） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 585-1227 |
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Chapter 1 – Introduction
Revision 1.1
PRELIMINARY
SanDisk iNAND Product Manual
When the host is ready to access a card in sleep mode, any command issued to it will cause
it to exit sleep, and respond.
1.10
iNAND — SD Bus Mode
The following sections provide valuable information on SanDisk iNAND in SD Bus mode.
SanDisk iNAND devices are fully compliant with the SDA Physical Layer Specification ,
Version 2.00 . Card Specific Data (CSD) Register structures are compliant with CSD
Structure 1.0 and 2.0.
This section covers Negotiating Operating Conditions, Card Acquisition and Identification,
Card Status, Memory Array Partitioning, Read/Write Operations, Data Transfer Rate, Data
Protection in Flash Cards, Write Protection, Copy Bit, and CSD Register.
Additional practical card detection methods can be found in application notes pertaining to
the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
Figure 1-2
Memory Array Partitioning
SanDisk iNAND2
WP Group 0
Sector 1
Block
0
Block
1
Block
2
Block
n
Sector 2
Sector 3
Sector n
WP Group 1
WP Group 2
? 2007 SanDisk Corporation
1-4
02/09/07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDIN2C1-512M-Q | 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C1-512M-T | 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C2-1G | 功能描述:IC INAND FLASH 1GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C2-1G-T | 功能描述:IC INAND FLASH 1GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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