参数资料
型号: SDIN2C2-1G
厂商: SanDisk
文件页数: 11/29页
文件大小: 0K
描述: IC INAND FLASH 1GB 169FBGA
标准包装: 112
格式 - 存储器: 闪存
存储器类型: 闪存 - NAND
存储容量: 8G(1G x 8)
速度: 50MHz
接口: SD/SPI 串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -25°C ~ 85°C
封装/外壳: 169-FBGA
供应商设备封装: 169-BGA(12x16)
包装: 托盘
其它名称: 585-1228
Chapter 2 – Product Specifications
Revision 1.1
2.6
PRELIMINARY
Physical Specifications
SanDisk iNAND Product Manual
The SanDisk iNAND is a 169-pin, thin fine-pitched ball grid array (BGA). See Figure 2-1
(169-pin) for physical specifications and dimensions. See Figure 2-5 for a top view of the
pin definitions.
Figure 2-1
Figure 2-2
iNAND Specifications
iNAND Specifications (Top View)
? 2007 SanDisk Corporation
2-3
02/09/07
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PDF描述
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参数描述
SDIN2C2-1G-T 功能描述:IC INAND FLASH 1GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-2G 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-2G-T 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-8G 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:8GB, 169FBGA 12X16, OEM
SDIN3C2-16G 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-16G,169TFBGA 12X16,MMC