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参数资料
| 型号： | SDM03MT40A-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 171K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 225MW 40V SOT-26 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 370mV @ 1mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SDM03MT40/A
Document number: DS30372 Rev. 12 - 2
2 of 4
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
SDM03MT40/A
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
40
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
28
V
Forward Continuous Current (Note 6)
IFM
30
mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @8.3ms
Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEDC method)
IFSM
200
mA
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
225
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
RθJA
444
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-40 to +125
°C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
40
?
?
V
IR = 10μA
Forward Voltage Drop (Note 6)
VF
?
?
370
mV
IF
= 1mA
Leakage Current (Note 6)
IR
?
?
1
μA
VR
= 10V
Total Capacitance
CT
?
2
?
pF
VR = 1V f = 1.0 MHz
Notes: 5. Device mounted on FR-4 PC board with recommended
pad layout, which can be found on our website at
http://www.diodes.com/dat
asheets/ap02001.pdf.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0 0.2 0.4 0.6
0.8 1.0
1.2
1.4
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 1 Typical Forward Characteristics
100m
1m
10m
1
0
5101520
25
30 35
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
E
N
T
(A)
R
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 2 Typical Reverse Characteristics
100n
10n
1n
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S331K25X7RN6UJ5R | CAP CER 330PF 1KV 10% RADIAL |
| EEM12DCBI-S189 | CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD |
| A7SSB-3706M | CABLE D-SUB-AFM37B/AE37M/AFM37B |
| VI-2NX-CY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 50W |
| EEM12DCCI-S189 | CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDM03U40 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V 150mW RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SDM03U40_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| SDM03U40_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| SDM03U40-7 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V 150mW RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SDM03U40-76K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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