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参数资料
| 型号： | SDP8405-001 |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 503K |
| 代理商： | SDP8405-001 |
Silicon Phototransistor
SDP8405
Spectral Responsivity
gra_036.ds4
Wavelength - nm
R
e
la
ti
v
e
re
s
p
o
n
s
e
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
400
600
800
1000 1200
Fig. 5
Coupling Characteristics
with SEP8505
gra_029.ds4
Lens-to-lens separation - inches
L
ig
h
t
c
u
rr
e
n
t
-
m
A
0.1
0.2
0.4
1
2
4
10
0.01
0.2
0.4 0.7 1
0.02 0.04
0.1
0.7
7
V
CE = 5 V
I
F = 25 mA
T
A = 25 °C
Fig. 6
All Performance Curves Show Typical Values
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
119
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP8405-013 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
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| SDP8611-003 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8405-002 | 功能描述:光电晶体管 Silicon PhotoTrans T-1 Plastic Package RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8405-003 | 功能描述:光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR T1 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8405-011 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8405-012 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8405-013 | 功能描述:光电晶体管 0.37 mW/cm2 maximum OPEN COLLECTOR 50deg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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