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参数资料
| 型号： | SDP8436-003 |
| 厂商： | Honeywell Sensing and Control |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 17mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 18° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔，直角 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 产品目录页面： | 2787 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 480-1958 |
SDP8436
硅光电晶体管
开关时间测试电路
开关信号波形
V CC +5 V
集电极
cir_015.cdr
1.0 V
cir_004.cdr
90%
砷化镓发射器
e o
10%
250 μS
H
发射极
R L
1000 Ω
e O
0 V
t r
t
t f
图 1
响应率与角位移
1.0
gra_013.ds4
图 2
2.0
集电极电流与环境温度
gra_039.ds4
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
0.0-40
-30
-20
-10
0
+10 +20 +30 +40
0
10
20
30
40
50
60 70
80
角位移 - 度
环境温度 - ° C
图 3
暗电流与温度
1000
gra_301.ds4
图 4
100
非饱和开关时间与负载阻抗
gra_041.ds4
100
10
1
0.1
VCE = 15 V
H = 0
10
0.01
-40
-20
0
20 40
大气温度 - ° C
60
80
100
1
10
100 1000
负载阻抗 - Ohms
10000
130
霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利，
以便改善设计，并提供最佳产品。
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD7P20TM | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK |
| RPM-012PBT97F | PHOTOTRANSISTOR NPN 800NM SMD |
| SH193P72 | MINI-MZR SHLD PIN STR SGL END |
| FDC5612 | MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6 |
| 2N7002 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8436-003 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:OPTICAL SENSOR (PHOTODETECTOR - "NPN") P |
| SDP8436-004 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436-2TR | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436-3 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW; Transistor Polarity:NPN; Power Consumption:100mW; Viewing Angle:18; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| SDP8436-3 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW |
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